近日，航空航天学院李辉教授指导的2018级博士研究生董明海，以第一作者在电力电子领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表题为《A Post-Processing Technique Based Switching Loss Estimation Method for GaN Devices》的论文。电子科技大学航空航天学院为第一署名单位。

　　宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件具有开关损耗小等特点，在快速充电器、无线充电、5G功率放大器等领域有着广阔的应用前景。然而，其开关特性对寄生参数的影响特别敏感，传统开关损耗估计方法不能有效地用于氮化镓功率器件。因此，对氮化镓功率№器件的损耗产生机理进行研究，分析寄生参数带来的影响，并提出开关损耗精确估计方法，不仅具有较高的学术价值，而且对于工程应用具有重要的指导意义。

　　博士生董明海于2016年9月进入航空航天学院攻读硕士研究生，2018年通过学院硕博连读选拨，继续攻读博士学位。2018年11月，他通过学校首批“人才培养一流合作伙伴计划”赴新加坡南洋理工大学SMRT-NTU Smart Urban Rail Corporate Laboratory进行了6个月的交流学习，在该实验室主任Kye Yak See教授的指导下进行科研训练并参与宽禁带半导体功率器件的研究工作。在中外导师的联合指导下，董明海博士取得了以本篇文章为代表的学术成果。董明海是航空航天学院首位在该期刊上发表论文的博士研究生，他已获得CSC全额资助，将于2021年再次赴新加坡南洋理工大学学习。

董明海（左）和银杉（右）在进行实验测试

　　本文通讯作者为中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心副研究员银杉博士，他于2010年本科毕业于电子科技大学原微电子与固体电子学院（现电子科学与工程学院），2016年获得新加坡南洋理工大学电气工程博士学位。银杉博士于2019年被聘为电子科大协议副研究员和航空航天学院Aerospace Power Converter Lab的联合负责人，主要研究方向为宽禁带功率器件应用及电路设计、航空高功率密度变换器设计、软开关技术、功率集成技术等。

　　《IEEE Transactions on Power Electronics》作为IEEE Power Electronics Society旗下期刊，是电力电子领域的传统顶级期刊，涵盖了电力电子领域普遍感兴趣的所有研究方向，包括新型元器件、电路拓扑和系统控制。2020年度的影响因子6.373，中科院JCR大类和小类分区均为一区。

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　　论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/9290089