上世→纪五十年代以来，基于半导体材料的晶体管和集成电路深刻地改变了人类社会。高性能晶体管和电子芯片往往需要使用高质量晶体材料。现有的芯片技术主要采用单晶硅，而未来的智能芯片有可能使用聚合物半导体等新材料。合成高质量聚合物晶体对于未来电子ω学的发展具有重要意义。单晶生长需要物理或化学的可逆修复过程。单体通过聚合反应形成共价键连接的聚合物。在聚合反应过程中利用共价键的断裂和重连修复缺陷生长出聚合物№单晶非常困难，通常只能得到无定形或者多晶结构，特别是对于共价有机框架（COFs）等具有复杂拓扑结构的聚合物半导体。COFs材料是一种由有机单元构筑、共价键连接形成的多孔→晶态聚合物。传统方法通常需要数天才能得到几十到几百纳米的COFs晶粒，微米级COFs单晶需要15-80天。

复旦大学高↑分子科学系魏大程团队长期致力于研究新型场效应晶体管材料、晶体管设计原理以及晶体管在光电、化学和生物传感等领域的应用。针对这一难题，魏大程团队近期在《自然-通讯》（Nature Communications）杂志以《大尺寸共价『有机框架的超快单晶聚合》（“Ultra-Fast Single-Crystal Polymerization of Large-Sized Covalent Organic Frameworks”）为题报道了一种“超临界溶∞剂热法”，将COFs单晶聚合时间由15-80天缩短到2-5分钟。

研究发现，超快单晶聚合得益于超临界流体所具有的低表面张力、低粘度和高扩散系数等特性。相较于有机溶剂，超临界流体表面张力近乎为零，粘度极低，有利于反应单体的扩散，加快了聚合速率，提高了反应的可逆性。2D COFs单晶尺寸达到0.2 毫米，晶体生长ㄨ速率约40微米每分钟，较现有2D COFs单晶生长方法提高了约100,000倍，较其他超快2D COFs多晶或纳晶生长技术提高了约6,000倍。

该课题组通过荧光◣显微学和闪光光解时间分辨微波电导⊙率（FP-TRMC）研究，发现大尺寸COFs单晶具有偏光荧光发射和高光电导率等特性。“超临界溶剂热法”极大缩短了反应时间，聚合物单晶尺寸大、质量高，合成过程无需大量有机溶剂，绿色环保，成本低，与现有化工过程兼容，解决了高质量聚合物单晶快速合成的难题，为这类√新型材料的应用奠定了基础。

“超临界溶剂热法”机理以及COFs单晶的高分辨透射电镜、偏光显微镜和FP-TRMC表征

复旦大学高分子科学系聚合⌒　物分子工程国家重点实验室为论文第一单位，复旦大学高分子科学系博士研究生彭兰为第一作者，魏大程研究员为通讯作者。日本京▽都大学Shu Seki教〗授等开展了FP-TRMC实验，复旦大学物理系晏湖根研究员等表征了偏光荧光光谱。复旦大学材料〗科学系刘云圻院士、华东理工大学赵玲教授等参与了该研究。研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、上□　海市科委、中科△院先导计划和复旦大学的支持。